[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611265424.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269857B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 林中瑀 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。一种结型场效应晶体管包括衬底、依次设置在所述衬底上的外延层和掩膜介质层。所述外延层内包括第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区内设有漏区和源区。所述掩膜介质层定义所述源区和漏区，其中，与所述漏区对应设置的所述掩膜介质层包括多个分离排列的掩膜子单元，使所述漏区分离成多个漏区子单元，且所述漏区子单元与所述掩膜子单元一一对应设置。当大电流撞击在某一漏区子单元时，被撞击的漏区子单元的温度升高，其电阻也随之变大，从而降低了电流流通的能力，电流就会逐步分散到与之相邻的其他漏区子单元上去，起到了均流的效果，提高了结型场效应晶体管的抗静电放电的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层和掩膜介质层；所述外延层内包括第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区内设有漏区和源区；所述掩膜介质层定义所述源区和漏区，其中，与所述漏区对应设置的所述掩膜介质层包括多个分离排列的掩膜子单元，使所述漏区分离成多个漏区子单元，且所述漏区子单元与所述掩膜子单元一一对应设置。
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