[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611264859.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269847A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，第一介质层中具有开口，开口暴露出部分基底表面，在开口底部和侧壁表面形成初始栅介质层，开口侧壁表面的初始栅介质层顶部与第一介质层表面齐平；对所述开口侧壁表面的初始栅介质层进行刻蚀，使开口侧壁表面的初始栅介质层顶部低于所述第一介质层表面；在栅介质层上形成栅极，栅极完全覆盖所述栅介质层；在栅极上和所述第一介质层上形成第二介质层。使栅极完全覆盖所述栅介质层，则在形成所述第二介质层的过程中，反应物不容易与栅介质层接触，从而能够减少反应物中的氧原子向栅介质层中扩散，进而改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质层 介质层 半导体结构 开口侧壁 介质层表面 开口 反应物 基底 侧壁表面 基底表面 氧原子 刻蚀 齐平 扩散 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层中具有开口，所述开口暴露出部分所述基底表面；在所述开口底部和侧壁表面形成初始栅介质层，所述开口侧壁表面的初始栅介质层顶部高于或齐平于所述第一介质层表面；对所述开口侧壁表面的初始栅介质层进行刻蚀，使所述开口侧壁表面的初始栅介质层顶部低于所述第一介质层表面，形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极，所述栅极完全覆盖所述栅介质层；在所述栅极上和所述第一介质层上形成第二介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611264859.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有扩展的电气安全操作区的半导体器件
- 下一篇：一种沟槽肖特基半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
