[发明专利]一种量子点探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201611262012.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269923A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;刘政;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点探测器及制备方法，所述量子点探测器依次包括：导电衬底、空穴注入层、量子点活性层、电子传输层和顶电极；所述量子点活性层的材料为量子点材料，其包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明通过使用量子点材料并利用量子点材料作为量子点活性层，既提高了量子点探测器的探测灵敏度、量子效率，还降低了量子点探测器的暗电流，同时简化了器件结构，节约制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 探测器 量子点材料 活性层 能级 量子点结构 组分结构 制备 电子传输层 空穴注入层 探测灵敏度 宽度变化 宽度一致 量子效率 器件结构 暗电流 顶电极 渐变 衬底 导电 均一 排布 合金 节约 制作 | ||
【主权项】：
1.一种量子点探测器，其特征在于，依次包括：导电衬底、空穴注入层、量子点活性层、电子传输层和顶电极；所述量子点活性层的材料为量子点材料，其包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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