[发明专利]一种背结背接触太阳能电池在审
| 申请号： | 201611257309.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653887A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的复合层；复合在所述基片背表面的隧穿氧化物层；复合在所述隧穿氧化物层上的P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层；设置在所述P型掺杂半导体层上的正电极；设置在所述N型掺杂半导体层上的负电极。本发明提出了一种采用隧穿氧化层钝化接触结构的背结背接触太阳能电池，采用隧穿氧化层钝化接触结构，这种结构避免了金属电极和衬底的直接接触，有效的减小了载流子在金属接触界面的复合，提高了电池的开压；而且由于金属接触不会带来复合的增加，金属接触可以覆盖发射极和背场的绝大部分面积，避免了载流子的横向运输，有利于降低串联电阻，进一步提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背结背 接触 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种背结背接触太阳能电池，其特征在于，包括：基片；复合在所述基片前表面的复合层；复合在所述基片背表面的隧穿氧化物层；复合在所述隧穿氧化物层上的P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层；设置在所述P型掺杂半导体层上的正电极；设置在所述N型掺杂半导体层上的负电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
