[实用新型]全背接触式异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201820147910.6 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN207705207U 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 郁操 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 周放;解立艳
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种全背接触式异质结太阳能电池,其包括单晶硅片、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、减反射膜、第一背场、第二背场、发射极和正负电极;其中,第一本征非晶硅层设置在单晶硅片的正面,第二本征非晶硅层设置在单晶硅片的背面,减反射膜设置在第一本征非晶硅层上,第一背场设置在第二本征层之上,发射极设置在第二本征层和第二背场之间,发射极/第二背场和第一背场之间绝缘设置,电极设置在第一背场和第二背场上。本实用新型提供的全背接触式异质结太阳能电池,从本质上避免了单晶硅片正面的栅线对入射光线的遮挡,可实现4.5%以上的电流增益,有效提升了异质结太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 背场 本征非晶硅层 异质结太阳能电池 背接触式 单晶硅片 发射极 本实用新型 减反射膜 本征层 单晶硅片正面 光电转换效率 电极设置 电流增益 绝缘设置 入射光线 正负电极 栅线 遮挡 背面
【主权项】:
1.一种全背接触式异质结太阳能电池,其特征在于,包括:单晶硅片;设置在所述单晶硅片的正面的第一本征非晶硅层;设置在所述单晶硅片的背面的第二本征非晶硅层;设置在所述第一本征非晶硅层上的减反射膜层;设置在所述第二本征非晶硅层上的发射极和第一背场,所述发射极和所述第一背场之间绝缘设置;设置在所述发射极上的第二背场,所述第二背场与所述第一背场之间绝缘设置;设置在所述第一背场和所述第二背场上的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新(北京)科技有限公司,未经君泰创新(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820147910.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top