[发明专利]一种图像传感器像素单元及其制造方法有效
申请号: | 201611257289.0 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN107046044B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 龟井诚司 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图像传感器像素单元,包括光电二极管、传输晶体管、浮置扩散区、以及连接至所述浮置扩散区的读出电路。所述传输晶体管具有槽栅,所述槽栅的底部具有向外凸的弧形结构,沿着所述弧形结构的底部形成弧形沟道区。本发明还提供了一种上述图像传感器像素单元的制造方法,可大幅提高传输晶体管栅长并由此改善器件的短沟效应和穿通效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 像素 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素单元,包括光电二极管、传输晶体管、浮置扩散区、以及连接至所述浮置扩散区的读出电路,其特征在于,所述传输晶体管具有槽栅,所述槽栅的底部具有向外凸的弧形结构,沿着所述弧形结构的底部形成弧形沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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