[发明专利]一种凹形结构单晶石墨烯及其制备方法

摘要

本发明公开一种凹形结构单晶石墨烯的制备方法包括以下步骤：1)使用乙酸和丙酮超声清洗铜箔基底，然后进行预退火处理；2)对退火后的铜箔基底进行预氧化处理；3)采用化学气相沉积法在经步骤2)预氧化处理后的铜箔上进行化学气沉积，冷却即得所述凹形结构单晶石墨烯。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过控制反应气氛，制备出具有凹形(内部单层外围双层)结构的单晶石墨烯，且涉及的成本低、重复性好，在光学、微波二极管和传感器等领域具有很好的应用前景。

主权项

1.一种凹形结构单晶石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用乙酸和丙酮超声清洗铜箔基底，然后进行预退火处理；2)将经步骤1)处理所得铜箔基底进行预氧化处理；3)采用化学气相沉积法在经步骤2)预氧化处理后的铜箔上进行化学气沉积，冷却即得所述凹形结构单晶石墨烯；它呈中部单层外围双层的片状结构，中部为单层石墨烯，外围为双层石墨烯；所述预氧化处理工艺为：保持Ar气的通入流量为500～1000sccm并排尽H₂气，再同时通入3～5sccm的O₂气，氧化温度为1050～1080℃，氧化时间为5～10min，关闭O₂气；所述化学气沉积步骤为：保持Ar气的通入流量为500～1000sccm并通入300～500sccm的H₂，同时通入1～1.5sccm的CH₄，沉积温度为1050～1080℃，沉积时间为60～90min。