[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板制造方法有效

专利信息
申请号: 201611254564.3 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106527004B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 夏青;柴立 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供的阵列基板,其包括形成于基板第一金属层、绝缘层、位于绝缘层上的TFT开关、位于所述绝缘层上的与TFT开关的漏极连接像素电极、覆盖像素电极的第一钝化层及位于所述第一钝化层的第二金属层;所述第一钝化层上设有过孔,所述第二金属层通过所述过孔与所述TFT开关的源极连接;所述像素电极、TFT开关的源极和漏极在ITO材料层形成。所述阵列基板的数据线是形成于像素电极之上,在制作过程中使得沟道蚀刻与第二金属层不在同一道制程,在制作沟道的过程中,避免因第二金属层形成小丘凸起导致静电击穿。本发明还提供一种液晶显示面板。
搜索关键词: 第二金属层 阵列基板 绝缘层 像素电极 钝化层 液晶显示面板 漏极 第一金属层 沟道蚀刻 静电击穿 连接像素 源极连接 制作过程 数据线 电极 沟道 基板 凸起 小丘 源极 制程 覆盖 制作 制造
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括形成于基板的第一金属层、位于所述第一金属层上的绝缘层、位于绝缘层上的TFT开关、位于所述绝缘层上的与TFT开关的漏极连接像素电极、覆盖像素电极的第一钝化层及位于所述第一钝化层上的第二金属层;所述第一钝化层上设有过孔,所述第二金属层通过所述过孔与所述TFT开关的源极连接;所述像素电极、TFT开关的源极和漏极在ITO材料层形成。
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