[发明专利]一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器材料，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层和盖层。该探测器具有PIN型InAs/InAsSb超晶格与NBN型InAsSb异质结构，该结构具有高探测率、低暗电流、长的少数载流子寿命等优点，这样的结构可提高探测器的性能。

主权项

一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器，包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，其特征在于，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层，外延结构的两侧经刻蚀形成台阶，台阶的深度分别至Be掺杂GaSb缓冲层和n型InAs/InAsSb超晶格接触层，电极包括金属下电极、金属中电极和金属上电极，金属下电极与Be掺杂GaSb缓冲层欧姆接触，金属中电极与n型InAs/InAsSb超晶格接触层欧姆接触，金属上电极形成于台阶的上方，与第二n型InAsSb接触层欧姆接触。