[发明专利]制造一半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201611248416.0 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106971939A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李凱璿;许志成;王菘豊;杨正宇;王圣祯;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一种制造一半导体装置的方法中，通过沉积制程在半导体层上形成含有非晶第一材料的第一层。在此第一层上形成含有金属第二材料的第二层。执行热制程以形成此非晶第一材料与此金属第二材料的合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 一半 导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，包含：通过一沉积制程在一半导体层上形成含有一非晶第一材料的一第一层；在该第一层上形成含有一金属第二材料的一第二层；及执行一热制程以形成该非晶第一材料与该金属第二材料的一合金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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