[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611247229.0 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107123680B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;詹前泰;游国丰;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括衬底、栅极堆叠件以及应变源极和漏极区。衬底具有半导体鳍。栅极堆叠件横跨半导体鳍设置。此外，应变源极和漏极区位于半导体鳍的凹槽内并且位于栅极堆叠件旁边。此外，至少一个应变源极和漏极区具有顶部和底部，底部连接至顶部，并且顶部的底部宽度大于底部的顶部宽度。本发明实施例还涉及用于制造鳍式场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：具有半导体鳍的衬底；横跨所述半导体鳍设置的栅极堆叠件；以及位于所述半导体鳍的凹槽内并且在所述栅极堆叠件旁边的应变源极和漏极区，其中，至少一个所述应变源极和漏极区具有顶部和底部，所述底部连接至所述顶部，并且所述顶部的底部宽度大于所述底部的顶部宽度。
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