[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611247229.0 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107123680B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;詹前泰;游国丰;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管，包括：
具有半导体鳍的衬底；
横跨所述半导体鳍设置的栅极堆叠件；
位于所述栅极堆叠件旁边的轻掺杂源极和漏极区；以及
位于所述半导体鳍的凹槽内并且在所述栅极堆叠件旁边的应变源极和漏极区，其中，至少一个所述应变源极和漏极区具有顶部和底部，所述底部连接至所述顶部，并且所述顶部的底部宽度大于所述底部的顶部宽度，
其中，所述顶部具有主体和区域，所述主体位于所述底部上，并且所述区域与所述主体相连接，延伸越过所述底部的侧壁，并且朝向所述栅极堆叠件下方的沟道区，
其中，至少一个轻掺杂源极和漏极区在所述区域下方并且位于所述底部旁边，
其中，所述区域的所述延伸方向的侧壁与所述轻掺杂源极和漏极区接触，或者与所述沟道区接触，并且所述接触面低于所述栅极堆叠件的栅极介电层。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述区域具有矩形轮廓。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述区域的顶部拐角和底部拐角是圆角。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述区域的宽度在从2nm至6nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述区域的深度在从2nm至6nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述底部具有半球形轮廓、半椭圆形轮廓或灯泡状轮廓。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述应变源极和漏极区中的至少一个具有旋转p形轮廓、旋转b形轮廓、σ轮廓、颠倒的Ω轮廓。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述顶部的深度小于所述底部的深度。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，还包括位于所述栅极堆叠件的侧壁上的间隔件，其中，所述区域被所述间隔件中的一个覆盖。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述顶部的掺杂浓度高于所述至少一个轻掺杂源极和漏极区域的掺杂浓度。
11.一种鳍式场效应晶体管，包括：
具有半导体鳍的衬底；
横跨所述半导体鳍设置的栅极堆叠件；
位于所述栅极堆叠件的侧壁上的间隔件；以及
位于所述半导体鳍的凹槽内并且在所述栅极堆叠件旁边的应变源极和漏极，其中，至少一个所述应变源极和漏极具有位于所述间隔件下方并且朝向所述栅极堆叠件下方的沟道区延伸的区域，并且具有位于所述区域下方的至少一个槽口，所述至少一个槽口通过所述区域与所述间隔件隔开，
位于所述栅极堆叠件旁边的轻掺杂源极和漏极区，
其中，所述区域的所述延伸方向的侧壁与所述轻掺杂源极和漏极区接触，或者与所述沟道区接触，并且所述接触面低于所述栅极堆叠件的栅极介电层。
12.根据权利要求11所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述至少一个槽口具有V形。
13.根据权利要求11所述的鳍式场效应晶体管，其中，至少一个所述轻掺杂源极和漏极区域覆盖所述槽口。
14.根据权利要求13所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述至少一个应变源极和漏极的掺杂浓度高于所述至少一个轻掺杂源极和漏极区域的掺杂浓度。
15.根据权利要求11所述的鳍式场效应晶体管，其中，位于所述应变源极和漏极之间的半导体鳍具有多级结构。
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