[发明专利]鳍型场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611246776.7 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107123679A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;杨怀德;张简旭珂;陈科维;王英郎;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍型场效晶体管，所述鳍型场效晶体管包括衬底、至少一个栅极结构、第一间隔壁、第二间隔壁以及源极及漏极区。所述衬底具有鳍及安置于所述鳍之间的绝缘体。所述至少一个栅极结构安置于所述鳍之上且安置于所述绝缘体上。所述第一间隔壁安置于所述至少一个栅极结构的相对的侧壁上。所述源极及漏极区安置于所述至少一个栅极结构的两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述第二间隔壁安置于所述至少一个栅极结构的所述两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述源极及漏极区夹置于所述相对的第二间隔壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍型场效 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有鳍及位于所述鳍之间的绝缘体；至少一个栅极结构，安置于所述鳍之上及所述绝缘体上；第一间隔壁，安置于所述至少一个栅极结构的相对侧壁上；源极及漏极区，安置于所述至少一个栅极结构的两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边；以及第二间隔壁，安置于所述至少一个栅极结构的所述两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边，其中所述源极及漏极区夹置于所述相对的第二间隔壁之间。
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