[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611246125.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108257957A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 林哲平;詹电鍼;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/06;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一基底，包含有至少一主动区定义于该基底上，至少一埋入式位线位于该主动区内的该基底内，一源/漏极区域，位于该至少一埋入式位线旁的该基底中，一扩散阻障区，位于该源/漏极区域顶部，且该扩散阻障区包含有多个掺杂原子，该些掺杂原子可选自碳原子、氮原子、锗原子、氧原子、氦原子以及氙原子的群组，一介电层，位于该基底上，以及一接触结构，位于该介电层中，与该源/漏极区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 半导体结构 源/漏极 埋入式位线 掺杂原子 阻障区 扩散 接触结构 氮原子 电连接 氦原子 介电层 碳原子 氧原子 锗原子 主动区 氙原子 电层 可选 群组 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含有：基底，包含有至少一主动区定义于该基底上；至少一埋入式位线，位于该主动区内的该基底内；源/漏极区域，位于该至少一埋入式位线旁的该基底中；扩散阻障区，位于该源/漏极区域顶部，且该扩散阻障区包含有多个掺杂原子，该些掺杂原子可选自碳原子、氮原子、锗原子、氧原子、氦原子以及氙原子的群组；绝缘层，位于该基底上；以及接触结构，位于该绝缘层中，与该源/漏极区域电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
