[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含有：

基底，包含有至少一主动区定义于该基底上；

至少一埋入式位线，位于该主动区内的该基底内；

源/漏极区域，位于该至少一埋入式位线旁的该基底中；

扩散阻障区，位于该源/漏极区域顶部，且该扩散阻障区包含有多个掺杂原子，该些掺杂原子可选自碳原子、氮原子、锗原子、氧原子、氦原子以及氙原子的群组；

绝缘层，位于该基底上；以及

接触结构，位于该绝缘层中，与该源/漏极区域电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含至少一字符线，位于该主动区内的该基底上，并与该埋入式位线交错排列。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该扩散阻障区的该掺杂原子的掺杂浓度介于1*10¹³/平方厘米至4*10²²/平方厘米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，还包含一金属硅化物，位于该接触结构之中。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触结构是一存储节点接触(storage nodecontact)。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触结构包含有掺杂的非晶硅层，以及金属层，位于该掺杂的非晶硅层上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该掺杂的非晶硅层包含有多个第二掺杂原子，且该第二掺杂原子包含有磷原子。

8.一种半导体结构的制作方法，包含有：

提供一基底，包含有至少一主动区定义于该基底上；

形成至少一埋入式位线于该主动区内的该基底内；

形成一源/漏极区域于该至少一埋入式位线旁的该基底中；

形成一扩散阻障区于该源/漏极区域顶部，且该扩散阻障区包含有多个掺杂原子，该些掺杂原子可选自碳原子、氮原子、锗原子、氧原子、氦原子以及氙原子的群组；

形成一绝缘层于该基底上；以及

形成一接触结构于该绝缘层中，该接触结构与该源/漏极区域电连接。

9.如权利要求8所述的制作方法，其中还包含形成至少一字符线于该主动区内的该基底上，并与该埋入式位线交错排列。

10.如权利要求8所述的制作方法，其中该扩散阻障区的该掺杂原子的掺杂浓度介于1*10¹³/平方厘米至4*10²²/平方厘米。

11.如权利要求8所述的制作方法，还包含形成一金属硅化物于该接触结构之中。

12.如权利要求8所述的制作方法，其中该接触结构是一存储节点接触(storage nodecontact)。

13.如权利要求8所述的制作方法，其中该接触结构包含有掺杂的非晶硅层，以及金属层，位于该掺杂的非晶硅层上。

14.如权利要求13所述的制作方法，其中该掺杂的非晶硅层包含有多个第二掺杂原子，且该第二掺杂原子包含有磷原子。

15.如权利要求8所述的制作方法，其中形成该扩散阻障区的方法包含原子注入或等离子体注入。