[发明专利]一种氧化物介质的原子层沉积方法

摘要

本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。

主权项

1.一种氧化物介质的原子层沉积方法，利用原子层沉积系统进行所述氧化物介质的原子层沉积，其特征在于，该方法包括：S101：设定原子层沉积系统生长参数；S102：向原子层沉积系统反应腔体中通入氧化物介质的金属前驱体源脉冲后，用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的金属前驱体源；S103：向原子层沉积系统反应腔体中通入水脉冲后，用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的水；S104：向原子层沉积系统反应腔体中通入氧等离子体脉冲后，用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的氧等离子体；S105：向原子层沉积系统反应腔体中通入水脉冲后，用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的水；S106：向原子层沉积系统反应腔体中通入臭氧脉冲后，用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的臭氧；S107：依次重复进行步骤S101～S106，获得高介电常数的氧化物介质薄膜。