[发明专利]一种GaAs材料的纵向多结单色光电池及其电池阵列有效

专利信息
申请号: 201611241269.4 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106784037B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 官成钢;官小雅;高倩 申请(专利权)人: 武汉凹伟能源科技有限公司;江苏华兴激光科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/048;H01L31/055;H01L31/0725
代理公司: 武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙) 42228 代理人: 邓寅杰
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及光电技术领域,特别是涉及一种基于GaAs材料的纵向多结单色光电池,该单色光多结电池包括:多个垂直堆叠的GaAs子电池和设于各个GaAs子电池之间的多层隧穿结;其中,每个GaAs子电池层的厚度各自不同并且都包含一个特殊设计的内部反射层;隧穿结将各个GaAs子电池依次串联起来,形成NPN...NPN的纵向多结结构。所述的单色光多结电池还能够通过合适的非成像光路设计实现更多个单色光电池的级联来实现更大功率的输出。
搜索关键词: 一种 gaas 材料 纵向 单色 光电池 及其 电池 阵列
【主权项】:
1.一种基于GaAs材料的纵向多结单色光电池,其特征在于,该单色光电池包括:多个垂直堆叠的GaAs子电池;和设于各个GaAs子电池之间的隧穿结;其中,各个子电池的材料完全相同,都包括一个反射层;各个子电池之间依靠隧穿结进行串联,形成NPN...NPN的纵向多结结构。
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