[发明专利]阻变式存储器单元的制造方法

摘要

本公开涉及阻变式存储器单元的制造方法。一种氧化物基直接存取阻变式存储型非易失存储器，其在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区(MOX)和第二电极(TE)。存储平面(PM)包括：形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；所述电介质层(MOX)和第二导电层(CC2)的所述堆叠结构，所述堆叠结构在第一方向(X)上覆盖所述焊垫，且在第二方向(Y)上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带(BDY)；第二电极(TE)由面对所述焊垫的所述第二条带(BDY)的区域形成。

主权项

一种用于在集成电路的互连部内制造至少一个电容性存储单元(CEL)的方法，所述电容性存储单元包括由电介质区域(MOX)隔离的第一电极(BE)和第二电极(TE)，其特征在于，所述方法包括：第一蚀刻步骤，其中，在第一导电层(CC1)中，形成在第一方向(X)上延伸的第一条带(BDX)；在被蚀刻的所述第一导电层(CC1)上，形成电介质层(MOX)和第二导电层(CC2)；以及第二蚀刻步骤，其中，在所述第二导电层(CC2)、所述电介质层(MOX)和被蚀刻的所述第一导电层(CC1)中，形成在垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)上延伸的第二条带(BDY)，所述第一电极(BE)通过所述第一条带(BDX)和所述第二条带(BDY)的在所述第一导电层(CC1)中的交叉点形成，并且所述第二电极(TE)通过所述第二导电层(CC2)的面对所述第一电极(BE)的区域形成。