[发明专利]阻变式存储器单元的制造方法

权利要求书

1.一种用于在集成电路的互连部内制造至少一个电容性存储单元(CEL)的方法，所述电容性存储单元包括由电介质区域(MOX)隔离的第一电极(BE)和第二电极(TE)，其特征在于，所述方法包括：

第一蚀刻步骤，其中，在第一导电层(CC1)中，形成在第一方向(X)上延伸的第一条带(BDX)；

在被蚀刻的所述第一导电层(CC1)上，形成电介质层(MOX)和第二导电层(CC2)；以及

第二蚀刻步骤，其中，在所述第二导电层(CC2)、所述电介质层(MOX)和被蚀刻的所述第一导电层(CC1)中，形成在垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)上延伸的第二条带(BDY)，所述第一电极(BE)通过所述第一条带(BDX)和所述第二条带(BDY)的在所述第一导电层(CC1)中的交叉点形成，并且所述第二电极(TE)通过所述第二导电层(CC2)的面对所述第一电极(BE)的区域形成。

2.根据权利要求1所述的方法，用于制造阻变式存储器存储平面(PM)，所述阻变式存储器存储平面(PM)包括在所述集成电路的所述互连部内的多个电容性存储单元(CEL)，其中所述存储单元的所述第一电极的形成包括：

所述第一蚀刻步骤，其中，在所述第一导电层(CC1)中，蚀刻在所述第一方向(X)上延伸的第一条带(BDX)；和

所述第二蚀刻步骤，其中，在所述第二导电层(CC2)、所述电介质层(MOX)和被蚀刻的所述第一导电层(CC1)中，蚀刻在所述第二方向(Y)上延伸的第二条带(BDY)，所述存储单元的所述第二电极(TE)通过所述第二条带(BDY)的面对所述第一电极(BE)的区域形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一条带(BDX)和所述第二条带(BDY)在两个方向(X，Y)的每一个方向上以规则的节距周期性地分布在所述存储平面(PM)中。

4.根据权利要求2和3中的任一项所述的方法，进一步包括：

形成在所述第一方向(X)上横贯所述存储平面的字线(WL)和在所述第二方向(Y)上横贯所述存储平面的位线(BL)；

形成连接所述字线(WL)与所述第一电极(BE)的第一导电接触(CWL)；并且

形成连接所述位线(BL)与所述第二电极(TE)的第二导电接触(CBL)。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述第一蚀刻步骤和所述第二蚀刻步骤包括沉积光刻胶然后执行光刻步骤。

6.一种存储器装置，包括在集成电路的互连部内的至少一个电容性存储单元(CEL)，所述电容性存储单元(CEL)包括由电介质区域(MOX)隔离的第一电极(BE)和第二电极(TE)，其特征在于：

所述第一电极(BE)包括正方形或矩形的导电焊垫，且其中所述装置包括电介质层(MOX)和导电层的堆叠结构，形成在所述焊垫的每一侧之上或上延伸的导电条带(BDY)，所述第二电极(TE)通过所述导电层的面对所述焊垫的区域形成；其中所述第一电极(BE)是经由两个垂直掩模来蚀刻第一导电层而形成的。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，所述存储器装置包括在所述集成电路的互连部内的存储平面，所述存储平面包括在垂直的第一方向和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区(MOX)和第二电极(TE)，所述存储平面(PM)包括：

形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；

所述电介质层(MOX)和所述导电层的所述堆叠结构，所述堆叠结构在所述第一方向(X)上覆盖所述焊垫，且在所述第二方向(Y)上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带；

所述第二电极(TE)通过所述导电条带的面对所述焊垫的区域形成。