[发明专利]具有层间互连件的堆叠衬底结构

摘要

本发明实施例涉及一种形成具有以前侧至背侧配置连接的层级的多维集成芯片的方法以及相关的装置。在一些实施例中，通过在第一衬底内形成一个或多个半导体器件，在第二衬底内形成一个或多个图像感测元件，以及通过接合结构将第一衬底上方的第一介电结构接合至第二衬底的背侧来实施该方法。形成包括多个不同部分且延伸穿过接合结构和第二衬底的层间互连结构，多个不同部分分别具有不同侧壁角度的侧壁。层间互连结构配置为将第一衬底上方的第一金属互连层电连接至第二衬底上方的第二金属互连层。本发明实施例涉及具有层间互连件的堆叠衬底结构。

主权项

一种形成多维集成芯片结构的方法，包括：在第一衬底内形成一个或多个半导体器件；在第二衬底内形成一个或多个图像感测元件；通过接合结构将所述第一衬底上方的第一介电结构接合至所述第二衬底的背侧；形成层间互连结构，所述层间互连结构包括分别具有不同侧壁角度的侧壁的多个不同部分，所述层间互连结构延伸穿过所述接合结构和所述第二衬底，其中，所述层间互连结构配置为将所述第一衬底上方的第一金属互连层电连接至所述第二衬底上方的第二金属互连层。