[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201611234664.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107017320B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 楠濑健;东直树;小川利昭;笠井久嗣 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其具备：包含活性区域的半导体构造；形成于所述半导体构造的上表面的透光性导电层；形成于所述透光性导电层的上表面的电介质膜；形成于所述电介质膜的上表面的金属反射层；和形成于所述金属反射层的上表面的焊盘电极，所述电介质膜设有1个以上的开口部，以使得所述透光性导电层部分地露出，所述透光性导电层介由所述开口部与所述金属反射层电接合，按照覆盖开口部的方式部分地形成阻挡层，使该阻挡层介于所述透光性导电层和所述金属反射层之间，使构成所述焊盘电极的n侧电极成为被分割为多个的小直径化电极，并分散配置。
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