[发明专利]鳍型场效晶体管有效
| 申请号： | 201611215791.5 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107170803B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍型场效晶体管，包括栅极堆叠结构、嵌于所述栅极堆叠结构中的半导体鳍、源极及漏极。所述半导体鳍沿所述栅极堆叠结构的宽度方向延伸且具有分别在所述栅极堆叠结构的侧壁处暴露出的第一凹部及第二凹部。所述源极及漏极配置于所述栅极堆叠结构的两个相对侧。所述源极包括嵌于所述第一凹部中的第一凸脊部分，且所述漏极包括嵌于所述第二凹部中的第二凸脊部分，其中所述第一凸脊部分及所述第二凸脊部分沿所述半导体鳍的高度方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍型场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效晶体管，其特征在于，包括：栅极堆叠结构；半导体鳍，嵌于所述栅极堆叠结构中，所述半导体鳍沿所述栅极堆叠结构的宽度方向延伸且具有分别在所述栅极堆叠结构的侧壁处暴露出的第一凹部及第二凹部；以及源极及漏极，配置于所述栅极堆叠结构的两个相对侧，所述源极包括嵌于所述第一凹部中的第一凸脊部分，且所述漏极包括嵌于所述第二凹部中的第二凸脊部分，其中所述第一凸脊部分及所述第二凸脊部分沿所述半导体鳍的高度方向延伸。
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