[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611177978.0 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206205B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成栅极结构、源漏掺杂区、保护层以及层间介质层，所述栅极结构位于基底上，所述源漏掺杂区分别位于栅极结构两侧的基底中，所述保护层位于源漏掺杂区表面，所述层间介质层覆盖栅极结构、保护层和基底；在所述层间介质层中形成第一通孔，第一通孔分别位于栅极结构两侧且暴露出保护层；形成填充满第一通孔的平坦层后，形成贯穿层间介质层且位于栅极结构上的第二通孔；形成所述第二通孔后，去除平坦层和第一通孔底部的保护层；去除第一通孔底部的保护层后，在源漏掺杂区表面分别形成金属硅化物层。所述方法使半导体器件的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成栅极结构、源漏掺杂区、保护层以及层间介质层，所述栅极结构位于基底上，所述源漏掺杂区分别位于栅极结构两侧的基底中，所述保护层位于源漏掺杂区表面，所述层间介质层覆盖栅极结构、保护层和基底；在所述层间介质层中形成第一通孔，第一通孔分别位于栅极结构两侧且暴露出保护层；形成填充满第一通孔的平坦层后，形成贯穿层间介质层且位于栅极结构上的第二通孔；形成所述第二通孔后，去除平坦层和第一通孔底部的保护层；去除第一通孔底部的保护层后，在源漏掺杂区表面分别形成金属硅化物层。
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