[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成栅极结构、源漏掺杂区、保护层以及层间介质层，所述栅极结构位于基底上，所述源漏掺杂区分别位于栅极结构两侧的基底中，所述保护层位于源漏掺杂区表面，所述层间介质层覆盖栅极结构、保护层和基底；

在所述层间介质层中形成第一通孔，第一通孔分别位于栅极结构两侧且暴露出保护层；

形成填充满第一通孔的平坦层后，形成贯穿层间介质层且位于栅极结构上的第二通孔；

形成所述第二通孔后，去除平坦层和第一通孔底部的保护层；

去除第一通孔底部的保护层后，在源漏掺杂区表面分别形成金属硅化物层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述平坦层的工艺为干刻工艺；所述干刻工艺采用的气体为含氧气体。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述平坦层的材料为光阻材料、底部抗反射层材料或有机聚合物。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述平坦层的工艺为旋涂工艺。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述平坦层还位于层间介质层上；所述第二通孔还贯穿层间介质层上的平坦层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一通孔的方法包括：在所述层间介质层上形成图形化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，采用各向异性干刻工艺刻蚀层间介质层，在层间介质层中形成第一通孔；采用各向异性干刻工艺刻蚀层间介质层后，去除第一掩膜层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一通孔的过程中，所述层间介质层相对于所述保护层的刻蚀选择比值为3～100。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述各向异性干刻工艺的参数包括：采用的气体包括C₄F₆、CHF₃和O₂，C₄F₆的流量为10sccm～200sccm，CHF₃的流量为30sccm～500sccm，O₂的流量为100sccm～2000sccm，源射频功率为50瓦～500瓦，偏置电压为30伏～300伏，腔室压强为1mtorr～300mtorr。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiN、SiOCN、SiBCN或SiCN；所述层间介质层的材料为氧化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述栅极结构、源漏掺杂区、保护层和层间介质层的过程中，形成位于栅极结构顶部表面的覆盖层；所述层间介质层还覆盖所述覆盖层；所述第二通孔暴露出覆盖层表面；去除第一通孔底部的保护层的同时，去除第二通孔底部的覆盖层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为SiN、SiOCN、SiBCN或SiCN。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二通孔的方法包括：在所述平坦层和层间介质层上形成图形化的第二掩膜底层；以所述第二掩膜层为掩膜，采用各向异性干刻工艺刻蚀栅极结构上的层间介质层，在所述层间介质层中形成第二通孔；刻蚀栅极结构上的层间介质层后，去除第二掩膜层。