[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611176623.X | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108203074A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张健;李秀军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法。所述方法包括：提供MEMS前端器件，对所述MEMS前端器件依次进行缓冲蚀刻步骤、转移步骤以及清洗步骤；其中，将所述转移步骤的时间控制在12秒之内并且所述缓冲蚀刻步骤在无光照的黑暗环境中进行。所述方法进行了两方面的改进：第一，增加MEMS前端器件在BOE槽和DIW槽之间的转移速度，以降低MEMS前端器件在BOE槽和DIW槽之间的转移时间；同时在BOE槽和DIW槽的工艺中保持周围环境黑暗，例如关掉所述BOE槽和DIW槽中的照明设备，以降低所述蚀刻液对所述MEMS前端器件的蚀刻，通过所述改进，所述MEMS前端器件的表面粗糙度得到极大的提高，进一步提高MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 前端器件 蚀刻 半导体器件 缓冲 制备 表面粗糙度 照明设备 黑暗环境 时间控制 蚀刻液 无光照 良率 清洗 改进 黑暗 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供MEMS前端器件，对所述MEMS前端器件依次进行缓冲蚀刻步骤、转移步骤以及清洗步骤；其中，将所述转移步骤的时间控制在12秒之内并且所述缓冲蚀刻步骤在无光照的黑暗环境中进行。
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