[发明专利]一种半导体器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的制备方法。所述方法包括：提供MEMS前端器件，对所述MEMS前端器件依次进行缓冲蚀刻步骤、转移步骤以及清洗步骤；其中，将所述转移步骤的时间控制在12秒之内并且所述缓冲蚀刻步骤在无光照的黑暗环境中进行。所述方法进行了两方面的改进：第一，增加MEMS前端器件在BOE槽和DIW槽之间的转移速度，以降低MEMS前端器件在BOE槽和DIW槽之间的转移时间；同时在BOE槽和DIW槽的工艺中保持周围环境黑暗，例如关掉所述BOE槽和DIW槽中的照明设备，以降低所述蚀刻液对所述MEMS前端器件的蚀刻，通过所述改进，所述MEMS前端器件的表面粗糙度得到极大的提高，进一步提高MEMS器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。

在MEMS领域中,有一部分产品，为了实现MEMS器件功能，需要在MEMS器件中形成空腔，为了形成所述空腔通常先形成牺牲层然后执行缓冲蚀刻(Buffered Oxide Etch，BOE)，以取出所述牺牲层进而形成空腔，在执行BOE步骤之后需要进行去离子水清洗(DIW)，在该过程中通常使MEMS前端器件中的晶圆遭受粗糙度变大的问题，其中所述粗糙度变大的区域为表面为硅的区域，例如在晶粒与晶粒之间的切割道区域，所述前端器件变的粗糙会影响后续的工艺，使器件的性能和良率降低。

因此，有必要提出一种新的MEMS器件的制备方法，以解决现有的技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供MEMS前端器件，对所述MEMS前端器件依次进行缓冲蚀刻步骤、转移步骤以及清洗步骤；

其中，将所述转移步骤的时间控制在12秒之内并且所述缓冲蚀刻步骤在无光照的黑暗环境中进行。

可选地，所述转移步骤包括将所述MEMS前端器件从缓冲蚀刻槽中转移至清洗槽中。

可选地，将所述MEMS前端器件从所述缓冲蚀刻槽中取出的时间控制在4秒之内。

可选地，将所述MEMS前端器件从所述缓冲蚀刻槽中取出之后至放入所述清洗槽之前的时间控制在4秒之内。

可选地，将所述MEMS前端器件放入所述清洗槽中的时间控制在4秒之内。

可选地，所述转移步骤以及所述清洗步骤均在无光照的黑暗环境中进行。

可选地，在所述缓冲蚀刻步骤中使用缓冲氧化物刻蚀液。

可选地，所述缓冲氧化物刻蚀液中包括NH₄F、HF和表面活性剂。

可选地，在所述清洗步骤中使用去离子水。