[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611176623.X | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108203074A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张健;李秀军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 前端器件 蚀刻 半导体器件 缓冲 制备 表面粗糙度 照明设备 黑暗环境 时间控制 蚀刻液 无光照 良率 清洗 改进 黑暗 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供MEMS前端器件，对所述MEMS前端器件依次进行：
缓冲蚀刻步骤，以形成空腔；
转移步骤，以将所述MEMS前端器件从缓冲蚀刻槽中转移至清洗槽中；
以及清洗步骤，在所述清洗槽中对所述MEMS前端器件进行清洗；
其中，将所述转移步骤的时间控制在12秒之内并且所述缓冲蚀刻步骤在无光照的黑暗环境中进行，以降低蚀刻液对所述MEMS前端器件的蚀刻。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述MEMS前端器件从所述缓冲蚀刻槽中取出的时间控制在4秒之内。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述MEMS前端器件从所述缓冲蚀刻槽中取出之后至放入所述清洗槽之前的时间控制在4秒之内。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述MEMS前端器件放入所述清洗槽中的时间控制在4秒之内。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述转移步骤以及所述清洗步骤均在无光照的黑暗环境中进行。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述缓冲蚀刻步骤中使用缓冲氧化物刻蚀液。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲氧化物刻蚀液中包括NH4F、HF和表面活性剂。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述清洗步骤中使用去离子水。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过控制器械自动地执行所述MEMS前端器件的所述转移步骤。
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