[发明专利]二硼化锆-碳化硅复合材料氧化层非线性演变计算方法有效

专利信息
申请号: 201611163068.7 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN106871826B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 罗晓光;邓代英;张赢;俞继军;陈思员;艾邦成 申请(专利权)人: 中国航天空气动力技术研究院
主分类号: G01B15/02 分类号: G01B15/02;G01B11/06
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 庞静
地址: 100074 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 二硼化锆‑碳化硅复合材料氧化层非线性演变计算方法,(1)对二硼化锆‑碳化硅复合材料实验样品进行不少于3个保温时间段的等温氧化实验;(2)将待实验样品冷却至室温后加工获得剖面或者截面结构,干燥保存并防止氧化层发生脱落;(3)确定实验样品剖面或者截面的氧化层分层结构;(4)测量各氧化分层的厚度;(5)根据氧化层结构的不同分别建立氧化层厚度随时间演变的微分方程组;(6)求解微分方程组,获得氧化层厚度的理论计算值;(7)通过改变特征参数值,迭代计算各层氧化层厚度的理论值,迭代计算直至所有实验氧化层厚度与计算氧化层厚度的偏差绝对值均小于指定精度,据此确定满足精度要求的方程组特征参数;(8)固定微分方程组特征参数,求解不同温度、任意氧化时间下氧化层厚度定量演变规律。
搜索关键词: 二硼化锆 碳化硅 复合材料 氧化 非线性 演变 计算方法
【主权项】:
1.二硼化锆‑碳化硅复合材料氧化层非线性演变计算方法,其特征在于包括以下步骤:(1)对二硼化锆‑碳化硅复合材料实验样品进行不少于3个保温时间段的等温氧化实验;对实验后的每个氧化后的实验样本分别进行步骤(2)‑(4)的处理:(2)将待实验样品冷却至室温后加工获得氧化后实验样品的剖面或者截面结构,干燥保存并防止氧化层发生脱落;(3)确定实验样品剖面或者截面的氧化层分层结构,若为2层结构,则为表面玻璃相层和次表面氧化物;若为3层结构,则为表面玻璃相层、次表面氧化层和碳化硅主动氧化耗尽多孔层;(4)将经步骤(2)获得的样品放置扫描电子显微镜或者高分辨率光学显微镜下观察,依据步骤(3)确定氧化层的结构类型,测量各氧化分层的厚度;(5)根据氧化层结构的不同分别建立氧化层厚度随时间演变的微分方程组;(6)确定微分方程组的初始条件和特征参数初值,求解微分方程组,获得氧化层厚度的理论计算值;所述的特征参数包括氧化层i的动力学控制氧化层增长参数Ki、扩散控制氧化层增长参数hi、氧化层非线性增长函数Ai中的未知参数;i=1、2或1、2、3;i=1代表表面氧化层,i=2代表次表面氧化层,i=3代表碳化硅主动氧化耗尽多孔层;(7)通过改变特征参数值,迭代计算各层氧化层厚度的理论值,迭代计算直至所有实验氧化层厚度与计算氧化层厚度的偏差绝对值均小于指定精度,据此确定满足精度要求的方程组特征参数;(8)固定微分方程组特征参数,求解不同温度、任意氧化时间下氧化层厚度定量演变规律。
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