[发明专利]保护膜检测方法有效
| 申请号： | 201611159546.7 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107068581B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 梁仙一;大浦幸伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供保护膜检测方法，简单地对形成在工件正面上的保护膜的覆盖状态进行高精度地检测。对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测的保护膜检测方法包含如下步骤：荧光强度测量步骤，在多个工件的正面上分别形成厚度不同的多个测量用保护膜，对各个测量用保护膜照射由吸收剂吸收的光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度进行测量；以及阈值确定步骤，根据荧光强度来求出与希望的厚度的保护膜对应的荧光强度的阈值。在对形成在工件的正面上的保护膜是否形成为希望的厚度进行判定时，对形成在工件的正面上的保护膜照射光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度和所述阈值进行比较，从而对保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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