[发明专利]保护膜检测方法有效
申请号: | 201611159546.7 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107068581B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 梁仙一;大浦幸伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 检测 方法 | ||
1.一种保护膜检测方法,对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测,为了保护工件的正面不受对工件照射具有紫外区域或可见区域的波长的脉冲激光光线而进行激光加工时所产生的加工屑的影响,而由包含有对该脉冲激光光线进行吸收的吸收剂在内的水溶性树脂形成该保护膜,其中,该保护膜检测方法具有如下的步骤:
基准频谱制作步骤,在多个工件的正面上分别形成厚度不同的测量用保护膜,对各个所述测量用保护膜照射由所述吸收剂吸收的不同波长的多个测量用的光,通过该测量用的光的吸收对所述吸收剂所发出的荧光的强度进行测量;
阈值确定步骤,在实施了该基准频谱制作步骤之后,根据所述不同波长的多个测量用的光中的在所述测量用保护膜的厚度与所述荧光强度之间具有相关性的波长的测量用的光的所述荧光强度来求出与希望的厚度的所述测量用保护膜对应的荧光强度的阈值;以及
判定步骤,在实施了该阈值确定步骤之后,为了判定形成在工件的正面上的保护膜是否形成为所述希望的厚度,对形成在工件的正面上的所述保护膜照射所述测量用的光,通过该光的吸收对所述吸收剂所发出的荧光的荧光强度和所述阈值进行比较,从而对该保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。
2.根据权利要求1所述的保护膜检测方法,其中,
所述脉冲激光光线的波长为355nm,
所述测量用的光的波长为355nm~400nm,
所述荧光的峰值波长比所述测量用的光的波长长,在365nm~600nm的范围内。
3.根据权利要求1所述的保护膜检测方法,其中,
所述脉冲激光光线的波长为532nm,
所述测量用的光的波长为480nm~600nm,
所述荧光的峰值波长比所述测量用的光的波长长,在570nm~700nm的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造