[发明专利]保护膜检测方法

说明书

提供保护膜检测方法，简单地对形成在工件正面上的保护膜的覆盖状态进行高精度地检测。对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测的保护膜检测方法包含如下步骤：荧光强度测量步骤，在多个工件的正面上分别形成厚度不同的多个测量用保护膜，对各个测量用保护膜照射由吸收剂吸收的光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度进行测量；以及阈值确定步骤，根据荧光强度来求出与希望的厚度的保护膜对应的荧光强度的阈值。在对形成在工件的正面上的保护膜是否形成为希望的厚度进行判定时，对形成在工件的正面上的保护膜照射光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度和所述阈值进行比较，从而对保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。

技术领域

本发明涉及保护膜检测方法，对通过激光加工来分割半导体晶片等工件时覆盖在工件的正面上的保护膜是否具有希望的厚度进行判定。

背景技术

作为沿着间隔道对半导体晶片等工件进行分割的方法，公知通过对间隔道进行激光加工来分割半导体晶片的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所记载的激光加工方法中，通过针对半导体晶片的激光光线的照射，利用在照射区域内产生的热量沿着间隔道对半导体晶片进行连续地加工。在半导体晶片上的照射区域内，有时因热量集中而产生碎屑(加工屑)，存在因该碎屑附着在LSI的接合垫等上而使半导体芯片的品质降低的问题。

为了解决该问题，本申请人提出了一种激光加工方法，在半导体晶片的正面上形成水溶性的保护膜，使激光光线通过保护膜而照射至半导体晶片(例如，参照专利文献2)。在专利文献2所记载的激光加工方法中，由于通过保护膜来加工半导体晶片，所以会使因激光加工而飞散的碎屑附着在保护膜上。并且，在清洗工序中将附着有碎屑的保护膜去除，由此，抑制了碎屑附着在半导体晶片正面而防止了半导体芯片的品质降低。

专利文献1：日本特开平6-120334号公报

专利文献2：日本特开2004-322168号公报

但是，为了利用激光加工通过保护膜对半导体晶片进行加工，优选保护膜的厚度为一样的规定的值。即，保护膜的厚度会对激光加工结果造成影响，当保护膜过薄时，不能充分地保护晶片不受碎屑影响，当保护膜过厚时，会妨碍激光加工。因此，谋求在激光加工前对半导体晶片上的保护膜的厚度进行高精度地测量的方法。另一方面，当保护膜的厚度测量需要时间时，会抑制激光加工的生产性。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于提供一种保护膜检测方法，与以往相比能够简单地对形成在工件正面上的保护膜的覆盖状态进行高精度地检测。

根据本发明，提供一种保护膜检测方法，对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测，为了保护工件的正面不受对工件照射具有紫外区域或可见区域的波长的脉冲激光光线而进行激光加工时所产生的加工屑的影响，而由包含有对该脉冲激光光线进行吸收的吸收剂在内的水溶性树脂形成该保护膜，其中，该保护膜检测方法具有如下的步骤：荧光强度测量步骤，在多个工件的正面上分别形成厚度不同的测量用保护膜，对各个所述测量用保护膜照射由所述吸收剂吸收的测量用的光，通过该测量用的光的吸收对所述吸收剂所发出的荧光的强度进行测量；阈值确定步骤，在实施了该荧光强度测量步骤之后，根据所述荧光强度来求出与希望的厚度的所述测量用保护膜对应的荧光强度的阈值；以及判定步骤，在实施了该阈值确定步骤之后，为了判定形成在工件的正面上的保护膜是否形成为所述希望的厚度，对形成在工件的正面上的所述保护膜照射所述测量用的光，通过该光的吸收对所述吸收剂所发出的荧光的荧光强度和所述阈值进行比较，从而对该保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。

优选脉冲激光光线的波长为355nm，测量用的光的波长为350nm～400nm，所述荧光的峰值波长比测量用的光的波长长，在365nm～600nm的范围内。在其他的实施方式中，脉冲激光光线的波长为532nm，测量用的光的波长为480nm～600nm，所述荧光的峰值波长比测量用的光的波长长，在570nm～700nm的范围内。