[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611145257.1 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106876563A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 陈裕轩;吴明桂 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 骆希聪
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种发光二极管封装结构,包括一基材、一发光二极管以及一封装胶体。基材具有一第一表面,发光二极管配置于基材的第一表面上且适于产生及发射一光。封装胶体配置于基材上且包覆发光二极管,其中封装胶体具有与基材的第一表面平行的一第二表面以及与基材的第一表面垂直的多个第三表面。光通过与基材的第一表面平行的第二表面后具有一第一发光强度,光通过与基材的第一表面垂直的多个第三表面后具有一第二发光强度,第一发光强度大于第二发光强度。此外,一种发光二极管封装结构的制造方法亦被提及。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括:一基材,具有一第一表面;一发光二极管,配置于该基材的该第一表面上且适于产生及发射一光;以及一封装胶体,配置于该基材上且包覆该发光二极管,其中该封装胶体具有与该基材的该第一表面平行的一第二表面以及与该基材的该第一表面垂直的多个第三表面,其中该光通过与该基材的该第一表面平行的该第二表面后具有一第一发光强度,该光通过与该基材的该第一表面垂直的该多个第三表面后具有一第二发光强度,该第一发光强度大于该第二发光强度。
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