[发明专利]光电二极管器件及光电二极管探测器有效
| 申请号： | 201611143007.4 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106847958B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张岚;胡海帆;曹雪朋;李军 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 器件 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管探测器阵列，包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的多个第二电极区域，其中，所述多个第二电极区域彼此间隔开且按阵列排布，各第二电极区域分别对应于该光电二极管探测器阵列的像素，第一表面为光入射面；以及在各像素处与相应的第二电极区域相连接且从相应的第二电极区域向第一表面伸出的伸出结构，其中，所述伸出结构被第二类型重掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
