[发明专利]光电二极管器件及光电二极管探测器

权利要求书

1.一种光电二极管探测器阵列，包括：

第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；

设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；

设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的多个第二电极区域，其中，所述多个第二电极区域彼此间隔开且按阵列排布，各第二电极区域分别对应于该光电二极管探测器阵列的像素，第一表面为光入射面；以及

在各像素处与相应的第二电极区域相连接且从相应的第二电极区域向第一表面伸出的伸出结构，其中，所述伸出结构被第二类型重掺杂。

2.根据权利要求1所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述伸出结构包括：嵌入于在第二表面处形成且从第二表面向第一表面延伸的沟槽中的半导体材料。

3.根据权利要求2所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述沟槽的侧壁包括第二类型重掺杂的离子注入区。

4.根据权利要求2所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述沟槽延伸至第一电极区域处，嵌入于该沟槽中的半导体材料占据该沟槽的一部分深度，且该沟槽在第一表面一侧的端部还填充有光反射材料。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述伸出结构垂直于第二电极区域。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的光电二极管探测器阵列，其中，各像素处的所述伸出结构至少部分地围绕相应的第二电极区域的周边形成。

7.根据权利要求6所述的光电二极管探测器阵列，其中，各像素处的所述伸出结构包括沿相应的第二电极区域的周边形成的环状围栏结构，或者包括沿相应的第二电极区域的周边对向设置的一对伸出结构。

8.根据权利要求6所述的光电二极管探测器阵列，还包括：在各像素处在相应的第二电极区域的周边内侧形成的一个或多个另外的伸出结构。

9.根据权利要求8所述的光电二极管探测器阵列，其中，在各像素处所述另外的伸出结构形成为至少部分地围绕相应的第二电极区域的一部分。

10.根据权利要求8所述的光电二极管探测器阵列，其中，在各像素处所述伸出结构与所述另外的伸出结构一起形成格栅状。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述伸出结构与所述另外的伸出结构具有相同的延伸长度。

12.根据权利要求8-10中任一项所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述伸出结构的延伸长度大于所述另外的伸出结构的延伸长度。

13.根据权利要求1-4中任一项所述的光电二极管探测器阵列，其中，各像素处的所述伸出结构包括在相应的第二电极区域处形成的柱状结构。

14.根据权利要求13所述的光电二极管探测器阵列，其中，所述柱状结构设于相应的第二电极区域的中心位置处。

15.根据权利要求13所述的光电二极管探测器阵列，其中，在各像素处沿相应的第二电极区域的周边设置有多个所述柱状结构。

16.根据权利要求15所述的光电二极管探测器阵列，其中，沿第二电极区域的周边设置的所述多个柱状结构中的至少一部分柱状结构沿着该第二电极区域的周边延伸一定的范围。

17.根据权利要求16所述的光电二极管探测器阵列，其中，沿第二电极区域的周边设置的所述多个柱状结构彼此连接，从而构成绕该第二电极区域的周边的围栏结构。