[发明专利]具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关在审
申请号: | 201611140216.3 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN108616267A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 田泽;惠晓强;杨宁;邵刚;刘敏侠 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 |
主分类号: | H03K17/0814 | 分类号: | H03K17/0814;H03K17/14;H03K17/687;G01R31/02 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 杜永保 |
地址: | 710000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明属于集成电路设计领域,涉及一种具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关,包括:N沟道MOSFET,其特征在于,还包括驱动N沟道MOSFET的电荷泵、均流检测和控制电路、工作模式控制/故障状态寄存器和控制逻辑电路。本发明通过集成电路的手段,将低边功率开关技术、过流过压过热保护技术、串行通信技术、负载均流技术结合起来实现具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关。它实现了功率器件的完善保护,故障模式和信息获取、为PHM提供信息,针对不同的负载进行在线可配置,为自适应接口和智能远程接口单元提供技术手段和物理基础。 | ||
搜索关键词: | 低边功率开关 可并联 配置的 智能 均流 故障状态寄存器 串行通信技术 工作模式控制 集成电路设计 控制逻辑电路 远程接口单元 检测和控制 自适应接口 功率器件 故障模式 过热保护 技术结合 技术手段 物理基础 信息获取 电荷泵 可配置 集成电路 电路 驱动 | ||
【主权项】:
1.一种具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关,包括:N沟道MOSFET,其特征在于,还包括驱动N沟道MOSFET的电荷泵、均流检测和控制电路、工作模式控制/故障状态寄存器和控制逻辑电路;所述的N沟道MOSFET为输出的开关管,可根据控制要求实现开通或关断;所述的电荷泵为N沟道MOSFET开关管的驱动源,用于为开关管提供所需的驱动电压;所述的工作模式控制/故障状态寄存器,用于工作模式选择和各种故障状态的保存记录;所述的均流检测和控制电路,用于检测N沟道MOSFET开关管的实际负载电流和均流控制;所述控制逻辑电路,用于控制电荷泵以驱动N沟道MOSFET开关管的开关,根据均流检测和控制电路的检测结果以及工作模式控制N沟道MOSFET开关管的工作电流大小;上述部件均集成在集成电路上。
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