[发明专利]功率放大电路有效

专利信息
申请号: 201611138294.X 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN107026159B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 佐佐木健次 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种功率放大电路,具备:第1放大晶体管,将第1信号放大并输出第2信号;以及偏置电路,对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流,第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管,偏置电路包含:第1偏置晶体管,对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流;第2偏置晶体管,对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流;第1电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极;以及第2电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极,第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。
搜索关键词: 功率 放大 电路
【主权项】:
一种功率放大电路,其特征在于,具备:第1放大晶体管,将第1信号放大并输出第2信号;以及偏置电路,对所述第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流,所述第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管,所述偏置电路包含:第1偏置晶体管,对所述多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流;第2偏置晶体管,对所述多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流;第1电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第1电压供给至所述第1偏置晶体管的基极;以及第2电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第2电压供给至所述第2偏置晶体管的基极,所述第2电压供给电路形成于所述矩形区域的内部。
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