[发明专利]功率放大电路有效
申请号: | 201611138294.X | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN107026159B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 佐佐木健次 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种功率放大电路,具备:第1放大晶体管,将第1信号放大并输出第2信号;以及偏置电路,对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流,第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管,偏置电路包含:第1偏置晶体管,对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流;第2偏置晶体管,对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流;第1电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极;以及第2电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极,第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。 | ||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种功率放大电路,其特征在于,具备:第1放大晶体管,将第1信号放大并输出第2信号;以及偏置电路,对所述第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流,所述第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管,所述偏置电路包含:第1偏置晶体管,对所述多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流;第2偏置晶体管,对所述多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流;第1电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第1电压供给至所述第1偏置晶体管的基极;以及第2电压供给电路,将随着温度的上升而降低的第2电压供给至所述第2偏置晶体管的基极,所述第2电压供给电路形成于所述矩形区域的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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