[发明专利]功率放大电路

说明书

本发明提供一种功率放大电路，具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在移动电话等移动通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率而使用功率放大电路。在功率放大电路中，作为放大元件，使用异质结双极型晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等双极型晶体管。

已知在双极型晶体管中若恒定地驱动基极-发射极间电压，则随着温度上升，集电极电流增加。若因集电极电流的增加而消耗功率增加，则元件的温度上升，由此可能产生集电极电流进一步增加的正反馈(热失控)。因此，在功率放大电路中使用双极型晶体管的情况下，需要抑制双极型晶体管的热失控。例如，在专利文献1中公开了一种为了将双极型晶体管的温度变化传递给温度控制元件而使用利用了导热良好的金属的导热布线，并通过对被供给至双极型晶体管的偏置电压进行控制来抑制热失控的构成。

专利文献1：日本特开2006-147665号公报

在专利文献1所公开的构成中，为了加快传递至温度控制元件的时间，使用导热布线来抑制热失控，但该构成的对策导致成本增加。此外，在功率放大电路中，有使用由多个单位晶体管(也称为“指状物”。)构成的双极型晶体管的情况。在这样的双极型晶体管中，存在元件内的温度分布不均匀的情况。具体而言，元件的中心附近的温度较高而元件的外缘附近的温度较低。因此，在形成于元件的中心附近的单位晶体管的动作特性和形成于元件的外缘附近的单位晶体管的动作特性上产生差异，双极型晶体管的失真特性劣化。在专利文献1中，未公开在像这样由多个单位晶体管构成的双极型晶体管中，使元件内的温度分布均匀化的方法。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于在具备由多个单位晶体管构成的双极型晶体管的功率放大电路中，提高双极型晶体管中的温度分布的均匀性。

本发明的一个侧面的功率放大电路具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。

根据本发明，能够在具备由多个单位晶体管构成的双极型晶体管的功率放大电路中，提高双极型晶体管中的温度分布的均匀性。

附图说明

图1是表示作为本发明的一个实施方式的功率放大电路100的构成的图。

图2是表示功率放大器120A、120B以及偏置电路140A、140B的构成例的图。

图3A是表示功率放大电路100的布局的一个例子的图。

图3B是表示功率放大电路100的布局的另一个例子的图。

图3C是表示功率放大电路100的布局的另一个例子的图。