[发明专利]功率放大电路

权利要求书

1.一种功率放大电路，其特征在于，具备：

第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及

偏置电路，对所述第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，

所述第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，

所述偏置电路包含：

第1偏置晶体管，对所述多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；

第2偏置晶体管，对所述多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；

第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至所述第1偏置晶体管的基极；以及

第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至所述第2偏置晶体管的基极，

所述第2电压供给电路形成于所述矩形区域的内部。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外部。

3.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1组单位晶体管形成于不包含所述矩形区域的中心的第1子区域，

所述第2组单位晶体管形成于包含所述矩形区域的中心的第2子区域。

4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1组单位晶体管形成于不包含所述矩形区域的中心的第1子区域，

所述第2组单位晶体管形成于包含所述矩形区域的中心的第2子区域。

5.根据权利要求3所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第2电压供给电路形成于所述第2子区域的内部。

6.根据权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第2电压供给电路形成于所述第2子区域的内部。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1组单位晶体管的数量比所述第2组单位晶体管的数量少。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1电压供给电路与所述矩形区域邻接地形成。

9.根据权利要求7所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1电压供给电路与所述矩形区域邻接地形成。

10.根据权利要求8所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外缘与所述第1偏置晶体管之间。

11.根据权利要求9所述的功率放大电路，其特征在于，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外缘与所述第1偏置晶体管之间。

12.根据权利要求8所述的功率放大电路，其特征在于，

还具备第2放大晶体管，该第2放大晶体管将第3信号放大并输出所述第1信号，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外缘与所述第2放大晶体管之间。

13.根据权利要求9所述的功率放大电路，其特征在于，

还具备第2放大晶体管，该第2放大晶体管将第3信号放大并输出所述第1信号，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外缘与所述第2放大晶体管之间。

14.根据权利要求8所述的功率放大电路，其特征在于，

还具备引线接合用端子，

所述第1电压供给电路形成于所述矩形区域的外缘与所述引线接合用端子之间。