[发明专利]带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路在审
| 申请号： | 201611137388.5 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106502301A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈婷;姜黎;李天望;谢俊杰;刘程斌 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司43216 | 代理人： | 谷萍 |
| 地址： | 410125 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路，包括运算放大器AMP、功率管M0、M1和M2、三极管Q0、Q1和Q2，以及分压电阻R0和R1，其中，所述三极管Q0、Q1和Q2的发射极分别连接所述分压电阻R0的第一分压支路、所述功率管M1的漏极以及所述分压电阻R1的第二分压支路，所述运算放大器AMP的反向输入端Vn接入所述三极管Q1的发射极与所述功率管M1的漏极之间，且其同向输入端Vp接入所述第一分压支路。与相关技术相比，本发明提供的带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路具有如下有益效果电路结构简单、功耗低、芯片面积小以及节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 低压 线性 稳压器 兼容 电路 | ||
【主权项】：
一种带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路，其特征在于，包括：运算放大器AMP、功率管M0、功率管M1、功率管M2、基极与集电极连接成二极管形式的三极管Q0、Q1和Q2，以及分压电阻R0和R1，其中，所述三极管Q0、Q1和Q2的发射极分别连接所述分压电阻R0的第一分压支路、所述功率管M1的漏极以及所述分压电阻R1的第二分压支路，所述运算放大器AMP的反向输入端Vn接入所述三极管Q1的发射极与所述功率管M1的漏极之间，且其同向输入端Vp接入所述第一分压支路，所述功率管M0的栅极与所述运算放大器AMP的输出端相连，源极与所述功率管M1和M2的源极汇聚并通过电源电压VDD与所述运算放大器AMP的中间级连接，漏极连接所述第一分压支路，所述功率管M1的栅极与所述功率管M2的栅极汇聚并连接于所述功率管M0的栅极与所述功率放大器AMP的输出端之间，所述第二分压支路连接于所述功率管M2的漏极与输出端Vout之间。
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- 一种具有高电源抑制比的偏置电路，属于模拟集成电路设计领域。利用基准电压减去两个BE结压降产生一个与绝对温度成正比的电压，再通过电阻R1产生与绝对温度成正比的电流，产生的电流受电压影响较小，通过第一PNP型三极管QP1和第三NPN型三极管QN3的级联将第二PMOS管的漏极电压钳位在VCC‑VSG_MP1‑VEB_QP1，减小第二PMOS管MP2对电源电压的依赖性，从而使输出的偏置保持相对稳定；此外利用两个负反馈环路稳定第二PMOS管MP2的栅极电压和漏极电压，结合两个负反馈环路的相互作用，将输出的偏置电流的电源抑制能力进行提升；最后利用自偏置结构进一步加强整体偏置电路的电源抑制比。本发明提供的偏执电路，具有高的电源抑制比和良好的线性调整性能。
- 利用数字电流感测的DC/DC转换器-201580071418.4
- 哈桑·伊斯;塔纳·朵思路欧格鲁 - 朝阳半导体技术江阴有限公司
- 2015-12-01 - 2018-10-16 - G05F1/575
- 一种调节式DC/DC开关转换器包含其中输出电感器的各端耦合在一起的旁路模式。电路在所述开关转换器的操作期间确定输出电感器电流的输出电容器电流分量及负载电流分量以供在控制开关操作时使用。
- 应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路-201820375633.4
- 段志奎;王志敏;樊耘;于昕梅;陈建文;李学夔;王兴波;王修才;单明;牛菓;朱珍;王东 - 佛山科学技术学院
- 2018-03-19 - 2018-09-25 - G05F1/575
- 本实用新型公开了应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路，包括：控制电路，参考电压产生电路，反馈电路，负载电路，功率管M12，所述控制电路包括：PMOS管M1、M2、M3、M4、M12，NMOS管M5、M6、M7、M8、M9，电容C1、C2，所述参考电压产生电路包括：NMOS管M10、M11，运算放大器EA，基准电压电路bandgap，所述反馈电路包括：NMOS管M13、M14，所述负载电路包括：负载电容CL，负载电阻RL。本实用新型创造的电路结构以控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，具有良好的负载瞬态响应能力，对电压输出适应能力强。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。
- 专利分类
