[发明专利]FDSOI技术的外延分面高度一致性改进有效
| 申请号： | 201611128114.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026127B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 乔治·罗伯特·姆芬格;吴旭升 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及FDSOI技术的外延分面高度一致性改进。本发明提供了一种通过使用多个间隙壁来控制抬升式源/漏外延结构的分面高度的方法，以及由此形成的装置。实施例包括：在SOI层上设置栅极结构；在邻近该栅极结构的该SOI层上及该栅极结构的相对侧上形成第一对间隙壁；在邻近该栅极结构的该第一对间隙壁的上表面上及该栅极结构的该相对侧上形成第二对间隙壁；以及在该SOI上形成一对分面抬升式源/漏结构，各该分面源/漏结构分面于该第一对间隙壁的该上表面，其中，与该第一对间隙壁相比，该第二对间隙壁对外延生长更具有选择性。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 技术 外延 高度 一致性 改进 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在绝缘体上硅(SOI)层上设置栅极结构；在邻近该栅极结构的该SOI层上及该栅极结构的相对侧上形成第一对间隙壁；在邻近该栅极结构的该第一对间隙壁的上表面上及该栅极结构的该相对侧上形成第二对间隙壁；以及在该SOI上形成一对分面抬升式源/漏结构，各该分面源/漏结构分面于该第一对间隙壁的该上表面，其中，与该第一对间隙壁相比，该第二对间隙壁对外延生长更具有选择性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
