[发明专利]FDSOI技术的外延分面高度一致性改进

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

在绝缘体上硅层上设置栅极结构；

在邻近该栅极结构的该绝缘体上硅层上及该栅极结构的相对侧上形成第一对间隙壁；

在邻近该栅极结构的该第一对间隙壁的上表面上及该栅极结构的该相对侧上形成第二对间隙壁；以及

在该绝缘体上硅层上形成一对分面抬升式源/漏结构，各该分面抬升式源/漏结构分面于该第一对间隙壁的该上表面，

其中，与该第一对间隙壁相比，该第二对间隙壁对外延生长更具有选择性。

2.如权利要求1所述的方法，包括形成该第一对间隙壁至比该第二对间隙壁大的宽度。

3.如权利要求2所述的方法，包括通过该第一对间隙壁的其中之一的宽度与该第二对间隙壁的其中之一的宽度之间的差异控制该一对分面抬升式源/漏结构的分面。

4.如权利要求1所述的方法，包括通过该第一对间隙壁的材料与该第二对间隙壁的材料之间的差异控制该一对分面抬升式源/漏结构的分面。

5.如权利要求1所述的方法，包括通过分子层沉积形成由熔炉氮化物构成的该第一对间隙壁。

6.如权利要求1所述的方法，包括通过等离子体增强型化学气相沉积形成由沉积氮化物构成的该第一对间隙壁。

7.如权利要求1所述的方法，包括形成具有在45°与90°之间的侧壁角的各该第一对间隙壁，该侧壁角背对该栅极结构。

8.如权利要求1所述的方法，包括通过分子层沉积形成由熔炉氮化物构成的该第二对间隙壁。

9.如权利要求1所述的方法，包括形成由低K膜构成的该第二对间隙壁。

10.如权利要求1所述的方法，包括通过外延生长形成该分面抬升式源/漏结构。

11.一种半导体装置，包括：

栅极结构，形成于绝缘体上硅层上；

第一对间隙壁，形成于该绝缘体上硅层上及该栅极结构的相对侧上；

第二对间隙壁，形成于邻近该栅极结构及该栅极结构的该相对侧上，与该第一对间隙壁相比，该第二对间隙壁对外延生长更具有选择性；以及

一对分面抬升式源/漏结构，形成于该绝缘体上硅层上，各该分面抬升式源/漏结构分面于该第一对间隙壁的上表面。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，与各该第二对间隙壁相比，各该第一对间隙壁具有较大的宽度。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，各该第一对间隙壁具有5纳米至10纳米的宽度以及5纳米至15纳米的高度。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，各该第二对间隙壁具有3纳米至4纳米的宽度。

15.如权利要求11所述的半导体装置，其中，该第二对间隙壁形成于该绝缘体上硅层上或该第一对间隙壁的该上表面上。

16.如权利要求11所述的半导体装置，其中，该第一对间隙壁通过分子层沉积由熔炉氮化物形成或者通过等离子体增强型化学气相沉积由沉积氮化物形成。

17.如权利要求11所述的半导体装置，其中，各该第一对间隙壁具有在45°与90°之间的侧壁角，且该侧壁角背对该栅极结构。

18.如权利要求11所述的半导体装置，其中，该第二对间隙壁通过分子层沉积由熔炉氮化物形成或者由低K膜形成。