[发明专利]具有NFET结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611126348.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107039530A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李启弘;郭建亿;舒丽丽;苏建彰;曾奕凯;李英玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了具有n‑型场效应晶体管(NFET)结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件的NFET结构包括硅衬底、至少一个源极/漏极部分和覆盖层。源极/漏极部分可以设置在硅衬底内，并且源极/漏极部分包括至少一个含n‑型掺杂剂部分。覆盖层位于源极/漏极部分上面并且覆盖源极/漏极部分，并且覆盖层包括碳化硅(SiC)或具有相对低的锗浓度的硅锗(SiGe)，从而在随后的热工艺和清洗工艺之后，防止源极/漏极部分的至少一个含n‑型掺杂剂部分中的n‑型掺杂剂免受降低的影响。本发明实施例涉及具有NFET结构的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 nfet 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底；源极/漏极部分，设置在所述硅衬底内，其中，所述源极/漏极部分包括至少一个含n‑型掺杂剂部分；以及覆盖层，位于所述源极/漏极部分上面并且覆盖所述源极/漏极部分，其中，所述覆盖层包括碳化硅(SiC)或硅锗(SiGe)。
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