[发明专利]用于接合的多撞击工艺有效
| 申请号： | 201611124232.3 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107017175B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邵栋梁;董志航;施玟伶;陈筱芸;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘。金属凸块和金属焊盘的第一个包括铜。金属凸块和金属焊盘的第二个包括铝。该方法还包括实施第二撞击工艺以使金属凸块撞击金属焊盘。实施退火以使金属凸块接合在金属焊盘上。本发明实施例涉及封装及其形成方法以及用于接合的多撞击工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 接合 撞击 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成封装件的方法，包括：实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘，其中，所述金属凸块和所述金属焊盘的第一个包括铜，并且所述金属凸块和所述金属焊盘的第二个包括铝；实施第二撞击工艺以使所述金属凸块撞击所述金属焊盘；以及实施退火以将所述金属凸块接合在所述金属焊盘上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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