[发明专利]用于接合的多撞击工艺有效
申请号: | 201611124232.3 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN107017175B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 邵栋梁;董志航;施玟伶;陈筱芸;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/488 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 接合 撞击 工艺 | ||
1.一种用于形成封装件的方法,包括:
实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘,其中,所述金属凸块和所述金属焊盘的第一个包括铜,并且所述金属凸块和所述金属焊盘的第二个包括铝;
实施第二撞击工艺以使所述金属凸块撞击所述金属焊盘;以及
实施退火以将所述金属凸块接合在所述金属焊盘上。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一撞击工艺之后且在所述第二撞击工艺之前的第三撞击工艺,其中,所述第三撞击工艺包括使所述金属凸块撞击所述金属焊盘。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述第一撞击工艺之前,位于所述金属凸块的表面处的第一氧化物层和位于所述金属焊盘的表面处的第二氧化物层是连续的氧化物层,其中,在所述第一撞击工艺中,所述第一氧化物层撞击所述第二氧化物层。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在所述第一撞击工艺和所述第二撞击工艺中,所述第一氧化物层和所述第二氧化物层均被打破成碎片。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第一封装组件从与所述第二封装组件间隔开的位置移动以冲击所述第二封装组件来实施所述第一撞击工艺。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述第一撞击工艺和所述第二撞击工艺的每个之后,所述金属凸块延伸至所述金属焊盘内。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述退火期间,所述金属凸块保持延伸至所述金属焊盘内。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述第二撞击工艺之后,所述金属凸块保持与所述金属焊盘接触直至完成所述退火。
9.一种用于形成封装件的方法,包括:
将第一封装组件提高至第二封装组件上方并且与所述第二封装组件间隔开;
实施第一撞击工艺以使所述第一封装组件撞击所述第二封装组件;
在所述第一撞击工艺之后,将所述第一封装组件提高至所述第二封装组件上方并且与所述第二封装组件间隔开;
实施第二撞击工艺以使所述第一封装组件撞击所述第二封装组件;以及
退火所述第一封装组件和所述第二封装组件以将所述第一封装组件接合至所述第二封装组件,
其中,所述第一封装组件和所述第二封装组件的第一个包括突出的金属凸块,以及所述第一封装组件和所述第二封装组件的第二个包括凹进的金属焊盘,并且其中,在所述第一撞击工艺和所述第二撞击工艺中,所述突出的金属凸块撞击所述凹进的金属焊盘。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,通过所述第一撞击工艺和所述第二撞击工艺将位于所述突出的金属凸块的表面上的第一氧化物层和位于所述凹进的金属焊盘的表面上的第二氧化物层打破成碎片,并且在所述第二撞击工艺之后,所述突出的金属凸块的非氧化表面与所述凹进的金属焊盘的非氧化表面物理接触。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第二撞击工艺导致所述突出的金属凸块延伸至所述凹进的金属焊盘内,并且其中,在所述第二撞击工艺和所述退火之间的整个持续时间中,所述突出的金属凸块保持延伸至所述凹进的金属焊盘内。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述凹进的金属焊盘的边缘部分被钝化层覆盖,并且在所述第一撞击工艺中,所述突出的金属凸块延伸至所述钝化层中的开口内。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述第一撞击工艺和所述第二撞击工艺中,所述第一封装组件以高于100μm/秒的速度冲击所述第二封装组件。
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