[发明专利]一种斜面异形硅片及其加工方法在审
| 申请号： | 201611110824.X | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106384713A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 薛佳伟;薛佳勇;王海军 | 申请（专利权）人： | 天津众晶半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人： | 丁晓玥 |
| 地址： | 300400 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种斜面异形硅片，属于硅片加工技术领域，由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。上述斜面异形硅片的加工方法，包括如下步骤(1)将硅棒切割成所需厚度；(2)在硅棒的柱面上滚磨出两个切面；(3)沿一斜面将硅棒截成A、B两段；(4)将A段置于B段上，其中斜面a1和斜面b1相贴合，所述A段的底面a朝上，并对底面a进行平磨，平磨完毕之后，将A段的斜面a朝上，并对斜面a进行平磨，平磨完毕之后，即得A段异形硅片；(5)采用步骤(4)的方法进行操作，得到B段异形硅片。本发明工艺简单，易操作，加工出来的硅片的尺寸精度高，误差小，无需配备大量的加工设备和人力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 斜面 异形 硅片 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种斜面异形硅片，其特征在于：由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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