[发明专利]一种真空热处理工艺在审
申请号: | 201611105776.5 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN108148964A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 曲立辉 | 申请(专利权)人: | 青岛小米星电子科技有限公司 |
主分类号: | C21D1/773 | 分类号: | C21D1/773 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青岛市城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种真空热处理工艺,其中加热工艺包括两段预热阶段和最后奥氏体化的阶段,第一个预热阶段的加热速度控制在10‑20℃min,并且最好控制在13℃/min。在第一阶段预热过程中采用本发明中总结设定的加热速度后不会因内应力和畸变影响成品率,在保证不产生过大的热处理变形的情况下,通过大量试验和总结确定了合理的预热时间,从而获得节约能源和提高生产效率的效果。 | ||
搜索关键词: | 真空热处理工艺 预热阶段 加热速度控制 热处理变形 奥氏体化 畸变影响 加热工艺 生产效率 预热过程 成品率 预热 两段 加热 节约 试验 能源 保证 | ||
【主权项】:
一种真空热处理工艺,其中加热工艺包括两段预热阶段和最后奥氏体化的阶段,其特征在于:第一个预热阶段的加热速度控制在10‑20℃/min。
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