[发明专利]一种真空热处理工艺在审

专利信息
申请号: 201611105776.5 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN108148964A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 曲立辉 申请(专利权)人: 青岛小米星电子科技有限公司
主分类号: C21D1/773 分类号: C21D1/773
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东省青岛市城*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 真空热处理工艺 预热阶段 加热速度控制 热处理变形 奥氏体化 畸变影响 加热工艺 生产效率 预热过程 成品率 预热 两段 加热 节约 试验 能源 保证
【说明书】:

发明公开了一种真空热处理工艺,其中加热工艺包括两段预热阶段和最后奥氏体化的阶段,第一个预热阶段的加热速度控制在10‑20℃min,并且最好控制在13℃/min。在第一阶段预热过程中采用本发明中总结设定的加热速度后不会因内应力和畸变影响成品率,在保证不产生过大的热处理变形的情况下,通过大量试验和总结确定了合理的预热时间,从而获得节约能源和提高生产效率的效果。

技术领域

本发明涉及一种热处理工艺,尤其涉及一种真空热处理工艺。

背景技术

在现代热处理处理技术中,真空热处理已愈来愈被广泛采用,但对真空热处理的工件加热时间和保温时间的确定还停留在经验估算的基础上。

现有技术中的真空热处理工艺的加热速度都是选取基本一致的速度,是考虑到的加热过程中可能产生的内应力和工件畸变,现有技术的工艺都是考虑到到热处理中工件成品率的问题以及历来的工作经验一直沿用基本相同加热速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种更加合理的真空热处理工艺,在保证不产生过大的热处理变形的情况下,通过大量试验和总结确定合理的预热时间,获得节约能源和提高生产效率的效果。

为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案如下:

一种真空热处理工艺,其中加热工艺包括两段预热阶段和最后奥氏体化的阶段,第一个预热阶段的加热速度控制在10-20℃/min。

所述的第一个预热阶段的加热速度最好控制在13℃/min。

所述的第一个预热阶段的加热温度为500-650℃。

所述的第一个预热阶段的加热温度为600℃。

本发明在真空热处理第一阶段预热时,提高了加热速率可使炉膛温度提前达到第一阶段的预热温度(如600℃),其后也使工件表面能提前达到设定的预热温度值。

工件内部的传导主要取决于表面与心部的温差,同理,工件心部达到设定预热温度的时间也相应缩短。为此,在设定较高第一阶段预热加热速率条件下,工件心部达到设定预热温度的时间也相应缩短。即把处理工件完成第一阶段预热的总时间缩短。同时关键在于经过大量研究和试验确定在一般情况下,工件在500℃~650℃以下的过程中,工件材料具有较高的强度,表面与心部温差引起的热应力也不会足够大;这两点将保证工件在第一阶段预热过程中不会引起较大的畸变,更不会引起工件的开裂等弊病。而在第一阶段预热过程中采用本发明中总结设定的加热速度后不会因内应力和畸变影响成品率,这个需要大量的试验和科学的总结,本发明摒弃了现有技术中的习惯工艺和加大预热速度肯定会造成内应力过大和畸变的常规看法,大胆采用加大第一阶段(约600℃以下)预热速度从而取得了非常大的高效、节能的效益。

具体实施方式

一种真空热处理工艺,其中加热工艺包括两段预热阶段和最后奥氏体化的阶段,第一个预热阶段的加热速度控制在10-20℃/min。

所述的第一个预热阶段的加热速度最好控制在13℃/min。

所述的第一个预热阶段的加热温度为500-650℃。

所述的第一个预热阶段的加热温度为600℃。

本发明在真空热处理第一阶段预热时,提高了加热速率可使炉膛温度提前达到第一阶段的预热温度(如600℃),其后也使工件表面能提前达到设定的预热温度值。工件内部的传导主要取决于表面与心部的温差,同理,工件心部达到设定预热温度的时间也相应缩短。为此,在设定较高第一阶段预热加热速率条件下,工件心部达到设定预热温度的时间也相应缩短。即把处理工件完成第一阶段预热的总时间缩短。同时关键在于经过大量研究和试验确定在一般情况下,工件在500℃~650℃以下的过程中,工件材料具有较高的强度,表面与心部温差引起的热应力也不会足够大。

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