[发明专利]基于沟槽的电荷泵装置有效
| 申请号： | 201611102854.6 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107026158B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-彼特·摩尔;彼特·巴尔斯;朱尔根·法尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于沟槽的电荷泵装置，其提供一种半导体装置，包括全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底及电荷泵装置，其中，该FDSOI衬底包括半导体块体衬底，且该电荷泵装置包括形成于该FDSOI衬底中及上的晶体管装置，以及形成于该半导体块体衬底中并与该晶体管装置电性连接的沟槽电容器。本发明还提供一种半导体装置，包括：半导体块体衬底，包括第一源/漏区的第一晶体管装置，包括第二源/漏区的第二晶体管装置，包括第一内电容器电极及第一外电容器电极的第一沟槽电容器，以及包括第二内电容器电极及第二外电容器电极的第二沟槽电容器，其中，该第一内电容器电极与该第一源/漏区连接，且该第二内电容器电极与该第二源/漏区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟槽 电荷 装置 | ||
【主权项】：
一种包括全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底及电荷泵装置的半导体装置，其中：该全耗尽绝缘体上硅衬底包括半导体块体衬底；以及该电荷泵装置包括：晶体管装置，形成于该全耗尽绝缘体上硅衬底中及上；以及沟槽电容器，形成于该半导体块体衬底中并与该晶体管装置电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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