[发明专利]基于沟槽的电荷泵装置

权利要求书

1.一种包括全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底及电荷泵装置的半导体装置，其中：

该全耗尽绝缘体上硅衬底包括半导体块体衬底；以及

该电荷泵装置包括：

第一晶体管装置，形成于该全耗尽绝缘体上硅衬底中及上；

第一沟槽电容器，形成于该半导体块体衬底中并与该第一晶体管装置电性连接；

第二晶体管装置，形成于该全耗尽绝缘体上硅衬底中及上；以及

第二沟槽电容器，形成于该半导体块体衬底中并与该第二晶体管装置电性连接；

其中，该第一及第二晶体管装置共用共栅极电极。

2.一种半导体装置，包括：

半导体块体衬底；

第一晶体管装置，包括第一源/漏区；

第二晶体管装置，包括第二源/漏区；

第一沟槽电容器，包括第一内电容器电极及第一外电容器电极；以及

第二沟槽电容器，包括第二内电容器电极及第二外电容器电极；

其中，该第一内电容器电极与该第一源/漏区连接，且该第二内电容器电极与该第二源/漏区连接；以及

其中，该第一及第二晶体管装置共用共栅极电极。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一外电容器电极及该第二外电容器电极与该半导体块体衬底连接。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一及第二晶体管装置包括沟道区，且该沟道区形成于在该半导体块体衬底上形成的掩埋氧化物层上所形成的半导体层中。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一及第二源/漏区的至少其中一个为抬升式源/漏区。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一及第二晶体管装置形成于该半导体块体衬底中及上方，且该第一及第二沟槽电容器至少部分形成于该半导体块体衬底中。

7.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一外电容器电极与形成于该半导体块体衬底的第一部分上的第一硅化物层连接，且该第二外电容器电极与形成于该半导体块体衬底的第二部分上的第二硅化物层连接。

8.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一内电容器电极与形成于该第一源/漏区上的第一硅化物层连接，且该第二内电容器电极与形成于该第二源/漏区上的第二硅化物层连接。

9.如权利要求2所述的半导体装置，其中，在该半导体块体衬底的部分上形成硅化物层，且该硅化物层通过第一电性接触与该第一源/漏区连接，并通过第二电性接触与该第二源/漏区连接。

10.一种具有依据权利要求2所述的半导体装置的集成电路，还包括形成于该半导体块体衬底中及上方的第三晶体管装置，以及其中，该半导体装置可操作成反偏压该第三晶体管装置。

11.一种半导体装置，包括：

第一沟槽电容器，包括第一内电容器电极及第一外电容器电极；

第二沟槽电容器，包括第二内电容器电极及第二外电容器电极；

第一开关装置；以及

第二开关装置；

其中，该第一内电容器电极与该第二外电容器电极通过该第一开关装置可相互连接；

其中，该第一外电容器电极与该第二内电容器电极通过该第二开关装置可相互连接；

其中，该第一开关装置为第一晶体管装置且该第二开关装置为第二晶体管装置；以及

其中，该第一及第二开关装置共用共栅极电极。

12.如权利要求11所述的半导体装置，还包括输入电压源、第三开关装置及第四开关装置，以及其中，该第一内电容器电极及该第一开关装置通过该第三开关装置可与该输入电压源连接，且该第一外电容器电极通过该第四开关装置可与地连接。