[发明专利]一种具有超低逸出功的阳极及其制备方法在审
| 申请号： | 201611101467.0 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106486556A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 常帅;袁弘渊;黄明柱 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极及其制备方法，其特征在于具有超低逸出功的阳极包括单晶硅层、HfO2层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO2层，HfO2层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO2层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层，附加层的厚度为一个原子层厚度。本发明制备得到的阳极，其逸出功降低到了3eV以下，大大提高了阳极能量转化的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 逸出功 阳极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超低逸出功的阳极，其特征在于它包括单晶硅层、HfO2层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO2层，HfO2层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO2层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层，附加层的厚度为一个原子层厚度。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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